Артикул: 5484
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFETСтруктура: | N-канал |
Максимальное напряжение сток-исток: | 30 В |
Максимальный ток стока при 25°С: | 9 А |
Максимальное напряжение затвор-исток: | ±25 В |
Сопротивление сток-исток открытого канала: | 18.5 мОм (mΩ) |
Рассеиваемая мощность: | 1.3 Вт |
Рабочая температура: | -55…+150 °С |
SOIC (Small-Outline Integrated Circuit) - малогабаритный корпус для поверхностного монтажа
Количество выводов: 8
Тех. документация: DOC5484.pdfДоставку осуществляем самым доступным способом во всех регионах РФ - Почтой России | ||
Для расчета стоимости доставки выберите свой регион, город или другой населенный пункт | ||
ОМСКАЯ ОБЛАСТЬ |
395 руб. (6-9 дн.) | |
1028 руб. (3-5 дн.) |
Гарантия на "Полевой транзистор MOSFET Si4800BDY" составляет 1 месяц со дня получения товара.
Подробнее об условиях гарантии.
Отзыв о товаре пока никто не оставил.